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基本情報技術者2011年度 秋期午前25

2011年度 秋期 基本情報技術者 午前25

難度標準

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

選択肢

高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
紫外線で全内容の消去ができる。
周期的にデータの再書込みが必要である。
ブロック単位で電気的に消去できる。

解説

結論 → 詳細 → 補足 の 3 層構成

展開
解説Layer 1

エが適切なのは、フラッシュメモリはデータをブロック単位で電気的に消去できる不揮発性メモリだからです。この性質により、OSやファームウェアの更新、SSD(ソリッドステートドライブ)などの記憶装置として広く利用されています。アはCPUのキャッシュメモリはSRAM(エスラム)という揮発性メモリが使われ、高速な書換えは可能ですが、電源を切るとデータが消えてしまう点が異なります。イはROM(ロム)の一種であるEPROM(イープロム)の特徴で、フラッシュメモリは紫外線ではなく電気信号で消去します。ウはDRAM(ディーラム)のようなDRAM(ディーラム)で、データの保持に周期的な再書込み(リフレッシュ)が必要ですが、フラッシュメモリは不要です。

この解説は?
この解説は AI 生成です(詳細)

解説テキストは Google Gemini に IPA 公式の問題文・公式解答を入力して生成しました。 人間によるレビューを行ったものと、未レビューのものが混在します。

AI は事実誤認・選択肢の取り違え・最新法令の反映漏れ等を含む可能性があります。 重要な判断は必ず IPA 公式 PDF または最新の参考書でご確認ください。

解説の検証プロセス・誤り報告フローは 運営透明性レポートで公開しています。

※ AI 生成の解説は誤りを含む可能性があります。重要な判断は IPA 公式資料でご確認ください。

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