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航空無線通信士2026年8月試験無線工学問 2(a)

2026年8月試験 航空無線通信士 無線工学 問2(a)

難度標準

A - 2 次の記述は、半導体について述べたものである。

選択肢

解説

解説本文

展開
解説Layer 1

常温付近の半導体では一般に温度上昇でキャリアが増え、抵抗は下がる方向に働く。大きくなるとの断定が誤り。

各選択肢の解説

1

1

Siへ5価のAsをドープすると電子を供与しやすく、電子が多数キャリアとなるn形なので正しい。

2

2

Siへ3価のInをドープすると正孔を作り、p形となるので正しい。

3

3

常温付近の半導体では一般に温度上昇でキャリアが増え、抵抗は下がる方向に働く。大きくなるとの断定が誤り。

4

4

p形の多数キャリアは正孔であるため正しい。

5

5

n形の多数キャリアは自由電子であるため正しい。

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解説・公式出典について

解説は学習支援用に作成したもので、試験実施機関による公式解説ではありません。 事実誤認・選択肢の取り違え・最新法令の反映漏れ等を含む可能性があるため、 重要な判断は必ずリンク先の公式資料でご確認ください。

最終更新:

出典:公益財団法人日本無線協会 航空無線通信士 2026-08期 無線工学 A-2(問題・正答)。原問題画像は公式PDFの当該原問を過去問AIが切り出したものです。字形・数式・図・語群は原画素で保持しています。解説は既存の独自解説です。

制作・確認範囲・誤り報告の手順は 静的解説の確認方針で説明しています。出典リンクや自動テストだけで、解説全体の正確性が保証されるわけではありません。

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