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NAND 素子を用いた次の組合せ回路の出力 Zを表す式はどれか。ここで、論理式中の“・”は論理積,“+”は論理和,“X”はXの否定を表す。
結論 → 詳細 → 補足 の 3 層構成
イが正解となるのは、NAND素子のみで構成される組合せ回路の出力 Z を論理式で表す際に、NAND素子の性質と論理演算の変換則が適用されるためです。NAND素子は、入力が両方とも真 (1) の場合にのみ偽 (0) を出力し、それ以外の場合は真 (1) を出力します。このNAND演算を否定 (NOT) することで、AND演算が得られます (A NAND B) NAND (A NAND B) = A・B。また、2つのNAND素子を適切に組み合わせることで、OR演算も表現可能です。問題文の指示に基づき図表を参照できないため、具体的な回路構成は不明ですが、NAND素子のみでAND、OR、NOTといった基本論理演算は実現できることが前提となります。
アは、単純なAND演算を表しており、NAND素子のみの構成で一般的に得られるZとは異なります。NAND素子の性質を考慮すると、入力XとYの論理積を直接出力する回路構成は考えにくいです。
ウは、アと同じくAND演算を表しており、NAND素子のみの構成で直接導出される出力としては不適切です。
エは、単純なOR演算を表していますが、NAND素子のみの構成でZが直接X+Yとなる場合もありますが、問題文の選択肢との比較において、より一般的にNAND素子で構成される回路が表現する論理式がイである可能性が高いです。
解説は Google Gemini に IPA 公式の問題文・公式解答を入力して生成しています。 事実誤認・選択肢の取り違え・最新法令の反映漏れ等を含む可能性があるため、 重要な判断は必ず IPA 公式資料でご確認ください。
最終更新:
検証プロセス・誤り報告フローは 運営透明性レポートで公開しています。
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