第一級総合無線通信士2026年9月試験無線工学の基礎問 11(a)

2026年9月試験第一級総合無線通信士無線工学の基礎問11(a)

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nチャネルのエンハンスメント形MOS FETは、p形基板にn形のソース・ドレインを形成し、正のゲート電圧で電子の反転層を作る。図1はp形ソース・ドレインとn形基板を示すため、指定されたnチャネル形の構造ではない。

1: 1
図2は絶縁ゲートnチャネルの図記号として扱える。
2: 2
nチャネルの導通キャリアは主に自由電子。
3: 3
通常の動作極性はドレイン正、ソース負。
4: 4
エンハンスメント形はゲート零ではチャネルが形成されず、ドレイン電流は流れない。
5: 5
図1はn形基板にp形のソース・ドレインを形成したpチャネルMOSの構造である。nチャネル形ならp形基板にn形のソース・ドレインを形成するため、本問のnチャネル形の構造としては誤り。

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解説・公式出典について

解説は学習支援用に作成したもので、試験実施機関による公式解説ではありません。事実誤認・選択肢の取り違え・最新法令の反映漏れ等を含む可能性があるため、重要な判断は必ずリンク先の公式資料でご確認ください。

最終更新: 2026年5月5日

出典：公益財団法人日本無線協会第一級総合無線通信士 2026-09期 kiso A11（問題・正答）。原図・数式・候補語群は公式PDF原画像を正本とし、解説は私的草稿。

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