第78回（2026年実施） 診療放射線技師 午後 問66

各選択肢の解説

1

Si にAs を添加するとp 型になる。

誤り。Asは5価で、Siに添加すると電子を供給するためn型になる。p型にはBなどの3価不純物を用いる。

2

真性半導体のキャリアは正孔が主である。

誤り。真性半導体では電子と正孔が対で生じるため両者の密度は等しい。正孔が主という記述はp型との混同である。

3

n 型半導体に添加する不純物はドナーである。

正しい。n型半導体に添加する不純物は電子を供給するドナーであり、多数キャリアは電子になる。

4

真性半導体は温度が高くなると抵抗率が低下する。

正しい。温度が高くなると熱励起により電子・正孔が増え、真性半導体の抵抗率は低下する。

5

不純物半導体は真性半導体と比較して導電率が低い。

誤り。不純物添加によりキャリア密度が増えるので、通常の比較では真性半導体より導電率が高くなる。