令和6年度 下期 第三種電気主任技術者 理論 問11

各選択肢の解説

(1)

接合形とMOS形に分類することができる。

正しい。FETは，ゲート部の構造の違いにより接合形FET（pn接合を利用）とMOS形FET（金属－酸化膜－半導体構造）に大別される。よって誤りではない。

(2)

ドレーンとソースとの間の電流の通路には，n形とp形がある。

正しい。ドレーン－ソース間のチャネルがn形半導体のものをnチャネル，p形半導体のものをpチャネルといい，両方の種類がある。よって誤りではない。

(3)

MOS形はデプレション形とエンハンスメント形に分類できる。

正しい。MOS形FETは，ゲート–ソース間電圧V_GS=0でチャネルが存在するデプレション形と，しきい値を超える大きさのV_GSを適切な極性で加えて初めてチャネルが形成されるエンハンスメント形に分類される。よって誤りではない。

(4)

ゲート電圧で自由電子又は正孔の移動を制御できる。

正しい。FETはゲート電圧が作る電界によりチャネルを制御し，nチャネルでは自由電子，pチャネルでは正孔の移動（電流）を制御する。よって誤りではない。

(5)

エンハンスメント形はゲート電圧に関係なくチャネルができる。

誤り。V_GS=0でもチャネルが存在するのはデプレション形である。エンハンスメント形ではV_GS=0のときチャネルがなく，V_GSの大きさがしきい値の大きさを超える向き（nチャネルでは正，pチャネルでは負）になって初めて形成される。したがって本肢が誤りで正答である。