第77回（2025年実施） 診療放射線技師 午後 問67

各選択肢の解説

1

コレクタ電流の大きさを制御できる。

正しい。ゲート電圧によってコレクタ電流の導通状態を制御できる。

2

MOS FET と比較してオン抵抗が小さい。

正しい。高耐圧の素子では伝導度変調により導通時の損失が小さく、MOS FETよりオン状態の抵抗相当値を小さくできる。

3

ゲート、エミッタ及びコレクタの端子を持つ。

正しい。端子はゲート、エミッタ、コレクタの三つである。

4

MOS FET とトランジスタを組合せた構造である。

正しい。MOSによるゲート制御とバイポーラトランジスタの動作を組み合わせた構造である。

5

バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。

誤り。一般にIGBTはバイポーラトランジスタより高速にスイッチングできる。MOS FETよりはターンオフ時のテール電流などで遅くなることがある。