Siは銅より抵抗率が大きい。常温付近の半導体の温度特性と5価不純物による電子供給はいずれも抵抗率を小さくする向きで全欄が合う。
2026年9月試験 第二級海上無線通信士 無線工学の基礎 問9(a)
難度
標準
第二級海上無線通信士 無線工学の基礎 A9
選択肢
解説
結論 → 詳細 → 補足 の 3 層構成
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解説
結論 → 詳細 → 補足 の 3 層構成
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本問の一般的な半導体Siの条件で考える。伝導度はσ=q(nμn+pμp)、抵抗率は1/σである。常温付近の温度上昇によるキャリア増加、5価不純物による電子供給はいずれも伝導度を増す。温度・ドーピング領域を任意に拡張した全条件での断言ではない。
補足Layer 3展開閉じる
ρ=1/[q(nμn+pμp)]
General silicon semiconductor near room temperature as stated; not arbitrary highly doped/metallic temperature regimes.
各選択肢の解説
- 1
小さい／小さく／大きく
通常の半導体Siの抵抗率は銅より大きい。また5価不純物によるキャリア増加で抵抗率は小さくなる。温度欄だけが合う。
- 2
小さい／大きく／小さく
5価不純物の欄は合うが、Siは銅より高抵抗率で、本問の常温付近では温度上昇により抵抗率が小さくなる。
- 3
大きい／小さく／小さく
Siは銅より抵抗率が大きい。常温付近の半導体の温度特性と5価不純物による電子供給はいずれも抵抗率を小さくする向きで全欄が合う。
- 4
大きい／大きく／大きく
銅との大小は合うが、温度上昇・5価不純物混入の両方を抵抗率増加とした点が違う。
この解説は？
解説・公式出典について
解説は学習支援用に作成したもので、試験実施機関による公式解説ではありません。 事実誤認・選択肢の取り違え・最新法令の反映漏れ等を含む可能性があるため、 重要な判断は必ずリンク先の公式資料でご確認ください。
最終更新:
出典：公益財団法人日本無線協会 第二級海上無線通信士 2026-09 無線工学の基礎 A9（問題・正答）。原問の図・数式・語群は公式原紙の画素で保持。解説は独自作成。
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