FETは主に一種類のキャリアを用いるユニポーラ素子。金属/酸化膜/半導体はMOS、GaAsの大きな電子移動度も合う。
2026年9月試験 第二級海上無線通信士 無線工学の基礎 問11(a)
難度
標準
第二級海上無線通信士 無線工学の基礎 A11
選択肢
解説
結論 → 詳細 → 補足 の 3 層構成
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解説
結論 → 詳細 → 補足 の 3 層構成
詳細Layer 2展開閉じる
FETの主キャリアは電子又は正孔の一方なのでユニポーラに分類する。絶縁ゲートの金属・酸化膜・半導体構造をMOSといい、GaAsはSiに比べ一般に電子移動度が大きく高速・高周波動作に利用される。
補足Layer 3展開閉じる
General FET/material comparison in the original; no numerical mobility, manufacturer rating or all-temperature guarantee asserted.
各選択肢の解説
- 1
ユニポーラ／接合／小さく
ユニポーラの分類は合うが、金属-酸化膜-半導体構造はMOSである。GaAsの電子移動度の大小も逆になる。
- 2
ユニポーラ／MOS／大きく
FETは主に一種類のキャリアを用いるユニポーラ素子。金属/酸化膜/半導体はMOS、GaAsの大きな電子移動度も合う。
- 3
バイポーラ／MOS／小さく
MOSの構造名だけが合う。FETはバイポーラではなく、GaAsの電子移動度は一般にSiより大きい。
- 4
バイポーラ／接合／大きく
電子移動度の大小は合うが、FETの分類と金属-酸化膜-半導体の構造名が違う。
この解説は？
解説・公式出典について
解説は学習支援用に作成したもので、試験実施機関による公式解説ではありません。 事実誤認・選択肢の取り違え・最新法令の反映漏れ等を含む可能性があるため、 重要な判断は必ずリンク先の公式資料でご確認ください。
最終更新:
出典：公益財団法人日本無線協会 第二級海上無線通信士 2026-09 無線工学の基礎 A11（問題・正答）。原問の図・数式・語群は公式原紙の画素で保持。解説は独自作成。
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