図ではpn接合を逆方向にバイアスしてキャリアを接合面から遠ざける。候補8『逆方向』。
2026年8月試験 第一級アマチュア無線技士 無線工学 問B-2
難度
標準
B－2 次の記述は、可変容量ダイオードについて述べたものである。
内に入れるべき字句を下の番号から選べ。なお、同じ記
号の 内には同じ字句が入るものとする。
(1) p n 接合の可変容量ダイオードに、図に示すように ア 電圧を加えると、キャリアは
接合面付近から離れてしまうため、接合面付近は正孔や電子の存在しない イ Ａが生
じる。
(2) イ Ａは絶縁層と考えることができ、p 形半導体とn 形半導体を電極とする一種の静
電容量として働き、 ア 電圧V〔V〕を大きくするとＡの幅が広がり、静電容量は
ウ なる。
(3) 可変容量ダイオードは エ とも呼ばれ、一般に流通している可変容量ダイオードの
電極間容量は、最大で数百 オ 程度である。
1 空乏層 2 バラクタダイオード 3 順方向 4 〔pF〕 5 大きく
6 導電層 7 ガンダイオード 8 逆方向 9 〔μF〕 10 小さく
V
n
p
Ａ
五つの空欄
解説
結論 → 詳細 → 補足 の 3 層構成
展開閉じる
解説
結論 → 詳細 → 補足 の 3 層構成
詳細Layer 2展開閉じる
逆バイアスで接合付近に形成されるキャリアの乏しい絶縁的領域は空乏層。候補1。
補足Layer 3展開閉じる
逆方向電圧を増すと空乏層が広がり、電極間距離が増したのと同様に接合容量は小さくなる。候補10。
電圧で接合容量を変えるダイオードはバラクタダイオードともいう。候補2。
一般的な可変容量ダイオードの電極間容量は数百pF程度までという設問の記述で、μFではない。候補4。
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