2026年7月試験 第一級陸上無線技術士 無線工学の基礎 問11

(FK807-3)

A－11 次の記述は、MOS 形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。 内に入れるべき字句の正しい

組合せを下の番号から選べ。なお、同じ記号の 内には、同じ字句が入るものとする。

(1) 図1 に示すように、ゲート - ソース(G - S)間電圧 VGS を 0〔V〕としたとき、PN 接合部に A が存在し、ドレイン-

ソース(D - S)間に直流電圧VDS〔V〕を加えてもD - S 間に電流が流れないFET を B 形FET という。

(2) 図2 に示すように、VGS を十分な大きさの正電圧としたとき、ゲート電極の直下では多数キャリアがしりぞけられて

C が形成され、D - S 間に電流が流れるようになる。

A

B

C

1 反転層 デプレッション 空乏層

2 反転層 エンハンスメント 空乏層

3 空乏層 エンハンスメント 反転層

4 空乏層 デプレッション

反転層

5 空乏層 ユニポーラ

反転層

N＋

D：ドレイン

S：ソース

G：ゲート

N＋：不純物濃度の高い

N 形半導体

D

G

N＋

P 形半導体

N＋

C

S

VDS

VGS

図2

P 形半導体

D

S

酸化物

A

VDS

図1

N＋

G