第二級陸上無線技術士令和8年度 7月試験無線工学の基礎問 10

令和8年度 7月試験第二級陸上無線技術士無線工学の基礎問10

難度

標準

次の記述は、半導体材料のSi（シリコン）について述べたものである。□内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。

(1) 抵抗率は、常温付近では温度が［A］と一般に小さくなる。

(2) アクセプタと言われるインジウム（In）やガリウム（Ga）を混入すると、［B］形半導体になる。

(3) 結合及び結晶構造は、［C］結合でダイヤモンド構造である。

解説

結論 → 詳細の 2 層構成

展開

結論Layer 1

正しい。

詳細Layer 2

展開

シリコンは常温付近で温度上昇によりキャリアが増えて抵抗率が一般に低下する。III族のInやGaはアクセプタとして正孔を生じさせるためP形となり、シリコン結晶の結合は共有結合である。

1: A：上がる、B：P、C：共有
正しい。シリコンは常温付近で温度上昇によりキャリアが増えて抵抗率が一般に低下する。III族のInやGaはアクセプタとして正孔を生じさせるためP形となり、シリコン結晶の結合は共有結合である。
2: A：上がる、B：P、C：イオン
誤り。AとBは適切だが、シリコンの結合をイオン結合としているCが誤っている。
3: A：上がる、B：N、C：共有
誤り。InやGaはアクセプタ不純物なので、生成されるのはN形ではなくP形半導体である。
4: A：下がる、B：P、C：イオン
誤り。温度が下がると抵抗率が小さくなるというA及びイオン結合とするCが適切でない。
5: A：下がる、B：N、C：イオン
誤り。温度依存性、アクセプタ添加後の導電形及び結合の種類のいずれも記述と一致しない。

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最終更新: 2026年5月5日

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